Санкт-Петербург +7 812 986-54-04
Москва +7 926 111-18-76

Полупроводниковые материалы

Паспорт на тестовые пластины IпGaN/GaN с гетероэпитаксиальной структурой.

Пластины были получены методом газофазной эпитаксии из металлорганических
соединений.
Гетероэпитаксиальная структура состоит из следующей последовательности слоев :
1. подложка сапфира толщиной 430 мкм;
2. буферный слой GaN толщиной 2.5-3 мкм, легированный кремнием;
3. активная область, включающая набор слоев InGa толщиной 1-2мм, разделенные
барьерами GaN толщиной 36-38 нм, с максимумом длиной волны излучения, лежащей
в диапазоне 390-400 нм;
4. покрывающий слой GaN толщиной 36-38 нм, легированный кремнием.
Размер одной тестовой пластины  - пластина диаметром 2" или часть от целой пластины
Пластины могут отличаться технологическими режимами эпитаксиального роста отдельных слоев и количеством слоев IпGaN/GaN в активной области.
"Лицензия ФСТЭК"
Запрос на прайс-лист
Заполните форму, и мы вышлем вам прайс-
лист на продукцию, которая вас интересует.

Заполните поля

Заявка отправлена

Поля отмеченные * обязательны для заполнения